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等离子蚀刻设备部件

在等离子体蚀刻处理过程中，等离子体反应室的部件表面会暴露在等离子体蚀刻气体中，被腐蚀，造成污染。而石墨在离子轰击或等离子等极限工作条件下，不易受腐蚀，可用于等离子蚀刻设备部件，如石墨电极。

离子注入设备部件

离子注入是指将硼、磷、砷等离子束加速到一定能量，然后注入晶圆材料的表层内，以改变材料表层物质特性的工艺。

外延石墨盘

外延工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(Si/Si)，也可以是异质外延层 (SiGe/Si 或 SiC/Si 等)。在硅和碳化硅的外延工艺中，晶片承载在石墨盘上，有桶式、煎饼式和单晶片石墨盘。石墨盘的性能和质量对晶片的外延层的质量起着至关重要的作用。

晶体生长炉热场

用于生长半导体晶体的所有工艺都在高温、侵蚀性环境下运行，晶体生长炉的热区通常配备耐热和耐腐蚀的高纯度石墨部件，如加热器、坩埚、石墨保温筒、导流筒等。

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